Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 40mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 13,09
€ 0,262 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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Estándar
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,262 | € 13,09 |
500 - 950 | € 0,226 | € 11,28 |
1000+ | € 0,195 | € 9,76 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 40mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.