Transistor, MJE3055TG, NPN 10 A 60 V TO-220AB, 3 pines, 2 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
20
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
70 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
2 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
9.28 x 10.28 x 4.82mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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| 100 - 499 | € 0,45 |
| 500+ | € 0,37 |
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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5 V
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