Transistor Darlington, MJD112T4G, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.02mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
2.38mm
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Ancho
6.22mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.02mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
2.38mm
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud
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Ancho
6.22mm
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