Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
8 x 3.25 x 11mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Transistores NPN de alta tensión, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
5
P.O.A.
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Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
8 x 3.25 x 11mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Transistores NPN de alta tensión, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.