Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
7 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
150 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Datos del producto
Transistores NPN de potencia, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
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7 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
150 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Datos del producto
Transistores NPN de potencia, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.