Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 20mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Altura
5.33mm
Ancho
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 14,97
€ 0,299 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
€ 14,97
€ 0,299 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,299 | € 14,97 |
500 - 950 | € 0,259 | € 12,93 |
1000+ | € 0,224 | € 11,20 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 20mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Altura
5.33mm
Ancho
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.