Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
235 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
-120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 1mm
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 60 V a 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Price on asking
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
235 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
-120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 1mm
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 60 V a 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.