IGBT, FGA60N65SMD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3PN, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 864-8795PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGA60N65SMD
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

120 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

600000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-3PN

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

15.8 x 5 x 20.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 54,22

$ 5,42 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

IGBT, FGA60N65SMD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3PN, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 1
10$ 54,22
11$ 59,65
12$ 65,07
13$ 70,49
14$ 75,91
15$ 81,34
16$ 86,76
17$ 92,18
18$ 97,60
19$ 103,03
20$ 108,45
21$ 113,87
22$ 119,29
23$ 124,72
24$ 130,14

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Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

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N

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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