Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
120 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
600000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
15.8 x 5 x 20.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
$ 147,88
$ 4,929 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
$ 147,88
$ 4,929 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
30 - 90 | $ 4,929 | $ 147,88 |
120 - 240 | $ 4,332 | $ 129,97 |
270 - 480 | $ 4,23 | $ 126,89 |
510+ | $ 3,756 | $ 112,68 |
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Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
120 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
600000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
15.8 x 5 x 20.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.