MOSFET onsemi FDY1002PZ, VDSS 20 V, ID 830 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
830 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-89-6
Series
PowerTrench
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Anchura
1.2mm
Largo
1.7mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.8 Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
2
Anchura
1.2mm
Largo
1.7mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
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