MOSFET onsemi FDS4435BZ, VDSS 30 V, ID 8,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 27,46
€ 0,549 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Empaque de Producción (Rollo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,549 | € 2,75 |
| 100 - 495 | € 0,476 | € 2,38 |
| 500 - 995 | € 0,42 | € 2,10 |
| 1000+ | € 0,382 | € 1,91 |
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
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