MOSFET onsemi FDP4D5N10C, VDSS 100 V, ID 128 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.67mm
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
15.21mm
País de Origen
China
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€ 2.094,49
€ 2,618 Each (In a Tube of 800) (Sin IVA)
800
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