Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
122 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Series
PowerTrench
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Anchura
6mm
Material del transistor
Si
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 27,00
€ 1,35 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
€ 27,00
€ 1,35 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
20 - 198 | € 1,35 | € 2,70 |
200 - 998 | € 1,169 | € 2,34 |
1000 - 1998 | € 1,029 | € 2,06 |
2000+ | € 0,935 | € 1,87 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
122 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Series
PowerTrench
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Anchura
6mm
Material del transistor
Si
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.