MOSFET onsemi FDMS86181, VDSS 100 V, ID 124 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 181-1895Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDMS86181
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

124 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

PQFN8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

5mm

Longitud:

5.85mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

42 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

1.05mm

País de Origen

Philippines

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

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5mm

Longitud:

5.85mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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