Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
124 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5mm
Longitud:
5.85mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
42 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
1.05mm
País de Origen
Philippines
€ 10,24
€ 2,048 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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N
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124 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5mm
Longitud:
5.85mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
42 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
1.05mm
País de Origen
Philippines