MOSFET onsemi FDMC7208S, VDSS 30 V, ID 12 A, 16 A, Power 33 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A, 16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
PowerTrench, SyncFET
Tipo de Encapsulado
Power 33
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ, 12.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V, 14 nC a 5 V, 26 nC a 10 V, 6,7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
2
Altura
0.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET doble SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Diseñado para minimizar las pérdidas de conversión de potencia, al tiempo que mantiene un excelente rendimiento de conmutación
Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente baja.
SyncFET™ se beneficia del eficaz diodo de cuerpo Schottky
Aplicaciones en convertidor dc-dc con rectificación síncrona, controladores de motor, punto de redes de interruptor de carga de lado bajo
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 8,04
€ 1,607 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,607 | € 8,04 |
| 50 - 95 | € 1,384 | € 6,92 |
| 100 - 495 | € 1,201 | € 6,01 |
| 500 - 995 | € 1,056 | € 5,28 |
| 1000+ | € 0,96 | € 4,80 |
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Series
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Tipo de Encapsulado
Power 33
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ, 12.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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2
Altura
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-55 °C
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Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente baja.
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MOSFET Transistors, ON Semi
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