MOSFET onsemi FDH44N50, VDSS 500 V, ID 44 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
UniFET
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
750 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Ancho
4.82mm
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
90 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.
Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 74,86
€ 7,49 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
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Ancho
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Longitud
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.
Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
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