MOSFET onsemi FDG6332C-F085, VDSS 20 V, ID 600 mA, 700 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA, 700 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
SOT-363 (SC-70)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
700 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.25mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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SOT-363 (SC-70)
Tipo de montaje
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
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Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.25mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
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