MOSFET onsemi FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
770 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud:
2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,64 nC a 5 V
Profundidad
1.25mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 18,84
€ 0,377 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Empaque de Producción (Rollo)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,377 | € 1,88 |
| 100 - 495 | € 0,328 | € 1,64 |
| 500 - 995 | € 0,289 | € 1,44 |
| 1000+ | € 0,261 | € 1,31 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
770 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Material del transistor
Si
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2
Longitud:
2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,64 nC a 5 V
Profundidad
1.25mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Datos del producto
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
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