MOSFET onsemi FDC6401N, VDSS 20 V, ID 3 A, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
106 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
960 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Tipo de montaje
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6
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106 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Isolated
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±12 V
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2
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
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