Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
460 mA, 680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω, 450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.7mm
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,5 V, 1,64 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
FET digitales, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
$ 644,94
$ 0,215 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
$ 644,94
$ 0,215 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
460 mA, 680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω, 450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.7mm
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,5 V, 1,64 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
FET digitales, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.