Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
240 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
H-PSOF8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
11.78mm
Longitud
9.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
Altura
2.4mm
País de Origen
Philippines
€ 3.210,71
€ 1,605 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
€ 3.210,71
€ 1,605 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
2000
Información de stock no disponible temporalmente.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
240 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
H-PSOF8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
11.78mm
Longitud
9.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
Altura
2.4mm
País de Origen
Philippines