MOSFET onsemi FCU900N60Z, VDSS 600 V, ID 4,5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 864-4992Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCU900N60Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

SuperFET II

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

900 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,1 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

2.5mm

Altura

7.57mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 87,29

$ 1,164 Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
75 - 75$ 1,164$ 87,29
150 - 225$ 0,872$ 65,42
300 - 450$ 0,848$ 63,57
525 - 975$ 0,741$ 55,56
1050+$ 0,678$ 50,84

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N

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4,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

SuperFET II

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

900 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,1 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

2.5mm

Altura

7.57mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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