MOSFET onsemi FCU900N60Z, VDSS 600 V, ID 4,5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
SuperFET II
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,1 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
2.5mm
Altura
7.57mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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$ 87,29
$ 1,164 Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
75
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75
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 75 - 75 | $ 1,164 | $ 87,29 |
| 150 - 225 | $ 0,872 | $ 65,42 |
| 300 - 450 | $ 0,848 | $ 63,57 |
| 525 - 975 | $ 0,741 | $ 55,56 |
| 1050+ | $ 0,678 | $ 50,84 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
2.5mm
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Datos del producto
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
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