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MOSFET onsemi FCP104N60F, VDSS 600 V, ID 37 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 864-7893Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCP104N60F
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

37 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

SuperFET II

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

104 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

357 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Profundidad

4.672mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

110 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.215mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

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Número de Elementos por Chip

1

Longitud

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.215mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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