Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
10V
Tensión Mínima de Ruptura
5.5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
U-DFN2510
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
10
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones
2.5 x 1 x 0.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Corriente de Prueba
1mA
Profundidad
1mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
0.5mm
Longitud
2.5mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
€ 612,46
€ 0,204 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Matriz compleja
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
10V
Tensión Mínima de Ruptura
5.5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
U-DFN2510
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
10
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones
2.5 x 1 x 0.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Corriente de Prueba
1mA
Profundidad
1mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
0.5mm
Longitud
2.5mm
País de Origen
Malaysia
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