MOSFET onsemi BSS138W, VDSS 50 V, ID 210 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
210 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
340 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 11,38
€ 0,114 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,114 | € 11,38 |
| 500 - 900 | € 0,099 | € 9,86 |
| 1000+ | € 0,086 | € 8,56 |
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6 Ω
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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Tensión de diodo directa
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MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
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