MOSFET onsemi BSS138LT3G, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 8,77
€ 0,035 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
250
€ 8,77
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Empaque de Producción (Rollo)
250
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 250 - 1225 | € 0,035 | € 0,88 |
| 1250 - 2475 | € 0,035 | € 0,88 |
| 2500 - 12475 | € 0,034 | € 0,85 |
| 12500+ | € 0,033 | € 0,82 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Altura
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