MOSFET onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 9,25
€ 0,092 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 9,25
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,092 | € 0,92 |
| 250 - 490 | € 0,081 | € 0,81 |
| 500 - 990 | € 0,071 | € 0,70 |
| 1000+ | € 0,065 | € 0,65 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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