MOSFET onsemi BSS123, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
PowerTrench
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.92mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,8 nC a 10 V
Altura
0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 19,95
€ 0,199 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,199 | € 2,00 |
| 250 - 490 | € 0,172 | € 1,72 |
| 500 - 990 | € 0,151 | € 1,51 |
| 1000+ | € 0,138 | € 1,38 |
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N
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100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
PowerTrench
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.92mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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