Transistor, BC847BPDW1T1G, NPN/PNP 100 mA 45 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz, Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
0.9 x 2 x 1.25mm
Datos del producto
Transistores dobles NPN/PNP, ON Semiconductor
Cada paquete de transistor doble cuenta con un dispositivo NPN y un PNP
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
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