Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
-10 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
20 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Price on asking
Each (In a Pack of 200) (Sin IVA)
Estándar
200
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Corriente DC Máxima del Colector
-800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
-10 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
20 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.