Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 17mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-15V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
2.9mm
Altura
1.1mm
Anchura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 35,51
$ 0,355 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
$ 35,51
$ 0,355 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 225 | $ 0,355 | $ 8,88 |
250 - 475 | $ 0,307 | $ 7,67 |
500 - 975 | $ 0,27 | $ 6,76 |
1000+ | $ 0,246 | $ 6,15 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 17mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-15V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
2.9mm
Altura
1.1mm
Anchura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.