Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
16 to 32mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-15V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Anchura
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 8,30
$ 0,415 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
$ 8,30
$ 0,415 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 180 | $ 0,415 | $ 8,30 |
200 - 480 | $ 0,357 | $ 7,15 |
500 - 980 | $ 0,311 | $ 6,22 |
1000 - 1980 | $ 0,272 | $ 5,45 |
2000+ | $ 0,248 | $ 4,96 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
16 to 32mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-15V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Anchura
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.