MOSFET onsemi SMP3003-DL-1E, VDSS 75 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
280 nC a 10 V
Ancho
9.2mm
Material del transistor
Si
Altura
4.5mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Ancho
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