Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.1mm
Largo
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia
Price on asking
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Información de stock no disponible temporalmente.
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.1mm
Largo
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia