Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.01mm
Price on asking
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.01mm