MOSFET onsemi NTMS4177PR2G, VDSS 30 V, ID 11,4 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-4723Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMS4177PR2G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Anchura

4mm

Altura

1.5mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 2,90

€ 0,29 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTMS4177PR2G, VDSS 30 V, ID 11,4 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
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Producción -

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10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 2,90
20€ 5,80
30€ 8,69
40€ 11,59
50€ 14,49
60€ 17,39
70€ 20,29
80€ 23,18
90€ 26,08
100€ 28,98
110€ 31,88
120€ 34,77
130€ 37,67
140€ 40,57
150€ 43,47

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SOIC

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

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Single

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Si

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