Transistor, MJD200G, NPN 5 A 25 V DPAK (TO-252), 3 pines, 10 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
25 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
45
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
40 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
8 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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Tensión Máxima Emisor-Base
8 V
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