Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC a 10 V
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 35,85
€ 0,717 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 35,85
€ 0,717 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 95 | € 0,717 | € 3,58 |
100 - 495 | € 0,621 | € 3,10 |
500 - 995 | € 0,545 | € 2,73 |
1000+ | € 0,497 | € 2,49 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC a 10 V
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.