Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
65 V
Tipo de Encapsulado
CDFM
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
500 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
34.17mm
Profundidad
10.29mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Ganancia de Potencia Típica
13 dB
Altura
5.77mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, NXP
MOSFET Transistors, NXP
Price on asking
1
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Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
65 V
Tipo de Encapsulado
CDFM
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
500 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
34.17mm
Profundidad
10.29mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Ganancia de Potencia Típica
13 dB
Altura
5.77mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto