MOSFET Nexperia PSMN3R0-60PS,127, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
306 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
16mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
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3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
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10.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
4.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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