MOSFET Nexperia PSMN3R0-60PS,127, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 798-2946PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PSMN3R0-60PS,127
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

306 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

130 nC a 10 V

Anchura

4.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

16mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

306 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

130 nC a 10 V

Anchura

4.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

16mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

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