MOSFET Nexperia PMV65XP,215, VDSS 20 V, ID 3,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
76 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.47V
Disipación de Potencia Máxima
1.92 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 16,10
€ 0,322 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,322 | € 16,10 |
| 600 - 1450 | € 0,174 | € 8,68 |
| 1500+ | € 0,146 | € 7,31 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
76 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.47V
Disipación de Potencia Máxima
1.92 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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