MOSFET Nexperia PMV213SN,215, VDSS 100 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 725-8326Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PMV213SN,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 10 V

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 7,46

€ 0,373 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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40 - 80€ 0,279€ 5,58
100 - 180€ 0,212€ 4,25
200 - 380€ 0,201€ 4,01
400+€ 0,197€ 3,94

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N

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1.9 A

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100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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2000 mW

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Material del transistor

Si

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1

Longitud

3mm

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Altura

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