Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 7,46
€ 0,373 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
€ 7,46
€ 0,373 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,373 | € 7,46 |
40 - 80 | € 0,279 | € 5,58 |
100 - 180 | € 0,212 | € 4,25 |
200 - 380 | € 0,201 | € 4,01 |
400+ | € 0,197 | € 3,94 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto