MOSFET Nexperia PMF170XP,115, VDSS 20 V, ID 1 A, SOT-323 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 103-8120Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PMF170XP,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.15V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

1.67 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Anchura

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,6 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal P, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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$ 139,67

$ 0,047 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

MOSFET Nexperia PMF170XP,115, VDSS 20 V, ID 1 A, SOT-323 de 3 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000$ 139,67
6000$ 279,34
9000$ 419,01
12000$ 558,67
15000$ 698,34
18000$ 838,01
21000$ 977,68
24000$ 1.117,35
27000$ 1.257,02
30000$ 1.396,69
33000$ 1.536,35
36000$ 1.676,02
39000$ 1.815,69
42000$ 1.955,36
45000$ 2.095,03

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P

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Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.15V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

1.67 W

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Anchura

1.35mm

Material del transistor

Si

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Longitud

2.2mm

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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