Transistor, PBSS5350T,215, PNP -2 A -50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1.2 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores PNP de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 231,42
€ 0,077 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
€ 231,42
€ 0,077 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1.2 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores PNP de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products