Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
480 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
200 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 2,34
€ 0,234 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Tensión Máxima Colector-Emisor
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Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
480 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
200 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.