Transistor, PBSS5230T,215, PNP -2 A -30 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 200 MHz, Simple

Código de producto RS: 518-1839Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PBSS5230T,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

PNP

Corriente DC Máxima del Colector

-2 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

-30 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Disipación de Potencia Máxima

480 mW

Ganancia Mínima de Corriente DC

300

Configuración de transistor

Single

Tensión Base Máxima del Colector

30 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

200 MHz

Conteo de Pines

3

Número de Elementos por Chip

1

Dimensiones

1 x 3 x 1.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores PNP de bajo voltaje de saturación

Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.

Bipolar Transistors, Nexperia

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Tipo de Transistor

PNP

Corriente DC Máxima del Colector

-2 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

-30 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Disipación de Potencia Máxima

480 mW

Ganancia Mínima de Corriente DC

300

Configuración de transistor

Single

Tensión Base Máxima del Colector

30 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

200 MHz

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3

Número de Elementos por Chip

1

Dimensiones

1 x 3 x 1.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

País de Origen

China

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Transistores PNP de bajo voltaje de saturación

Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.

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