Transistor, PBSS4350T,215, NPN 2 A 50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
1.2 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
1 x 3 x 1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 221,75
€ 0,074 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tipo de montaje
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Disipación de Potencia Máxima
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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Configuración de transistor
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Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
1 x 3 x 1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
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