Transistor, PBSS4320T,215, NPN 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
20 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1.2 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
220
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 1,97
€ 0,197 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
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Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Operación
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País de Origen
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Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
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