Transistor, PBSS4160DS,115, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
250
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
220 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones
1 x 3.1 x 1.7mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores NPN de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
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Tensión Máxima Emisor-Base
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Transistores NPN de bajo voltaje de saturación
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