MOSFET Nexperia NX3008NBKW,115, VDSS 30 V, ID 350 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
350 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NX3008NBKW
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
830 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.35mm
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,52 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal N, hasta 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 15,60
€ 0,156 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 100 - 500 | € 0,156 | € 15,60 |
| 600 - 1400 | € 0,123 | € 12,32 |
| 1500+ | € 0,10 | € 9,97 |
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NX3008NBKW
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
830 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.35mm
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,52 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
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