MOSFET Nexperia BSS84AKS,115, VDSS 50 V, ID 160 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
160 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
320 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 3,67
€ 0,122 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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2.1V
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